IXYS - IXFN24N100

KEY Part #: K6398242

IXFN24N100 ფასები (აშშ დოლარი) [2761ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$16.47031
  • 10 pcs$15.23655
  • 25 pcs$14.00093
  • 100 pcs$13.01266
  • 250 pcs$11.94198

Ნაწილი ნომერი:
IXFN24N100
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFN24N100 electronic components. IXFN24N100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN24N100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN24N100 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFN24N100
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
სერიები : HiPerFET™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1000V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 24A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 390 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 8mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 267nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 8700pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 568W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-227B
პაკეტი / საქმე : SOT-227-4, miniBLOC

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TP0604N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3.

  • VN3205N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3.

  • FDD8444L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 50A DPAK.

  • IRLR3705ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IXTY44N10T

    IXYS

    MOSFET N-CH 100V 44A TO-252.

  • IRFI640GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP.