Microsemi Corporation - APTGT50H60T1G

KEY Part #: K6533086

APTGT50H60T1G ფასები (აშშ დოლარი) [2475ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$17.50148
  • 100 pcs$17.08326

Ნაწილი ნომერი:
APTGT50H60T1G
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - JFET and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APTGT50H60T1G electronic components. APTGT50H60T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT50H60T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT50H60T1G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APTGT50H60T1G
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : Trench Field Stop
კონფიგურაცია : Full Bridge Inverter
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 80A
ძალა - მაქსიმუმი : 176W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 50A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 250µA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 3.15nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : Yes
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : SP1
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SP1

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ