Microsemi Corporation - JANS1N4469US

KEY Part #: K6479703

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - გასწორება - მასივები and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Microsemi Corporation JANS1N4469US electronic components. JANS1N4469US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANS1N4469US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : JANS1N4469US

მწარმოებელი : Microsemi Corporation

აღწერა : DIODE ZENER 15V 1.5W D5A

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key

ვოლტაჟი - ზენერი (სახელი) (Vz) : 15V

ტოლერანტობა : ±5%

ძალა - მაქსიმუმი : 1.5W

წინაღობა (მაქს) (ზზტ) : 600 Ohms

მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 50nA @ 12V

ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.5V @ 1A

ოპერაციული ტემპერატურა : -65°C ~ 175°C

სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount

პაკეტი / საქმე : SQ-MELF, A

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-5A

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

BAR43C

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3.
BAW156E6327HTSA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
MMBD1705A

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.
SMBD7000E6327HTSA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A
1SS181,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
BAV170E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

ცხელი ნაწილები