ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42S83200G-6TL

KEY Part #: K938127

IS42S83200G-6TL ფასები (აშშ დოლარი) [19294ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.84145
  • 216 pcs$2.82732

Ნაწილი ნომერი:
IS42S83200G-6TL
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP. DRAM 256M 32Mx8 166MHz SDR SDRAM, 3.3V
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - ბატარეის დამტენები, PMIC - განათების, ბალასტის კონტროლერები, ლოგიკა - ცვლის რეგისტრატორები, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - სპეციალური დანიშნულებ, ლოგიკა - ბუფერები, მძღოლები, მიმღები, გადამცემები, მონაცემთა შეძენა - ციფრული პოტენომეტრები, PMIC - ენერგიის გაზომვა and ინტერფეისი - UARTs (უნივერსალური ასინქრონული მიმღე ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200G-6TL electronic components. IS42S83200G-6TL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS42S83200G-6TL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS42S83200G-6TL პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS42S83200G-6TL
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM
მეხსიერების ზომა : 256Mb (32M x 8)
საათის სიხშირე : 166MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : 5.4ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 3V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 70°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 54-TSOP II

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GD25S512MDFIGR

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

    NOR FLASH.

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58NVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)