Microsemi Corporation - APTGF75SK60D1G

KEY Part #: K6534116

[607ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    APTGF75SK60D1G
    მწარმოებელი:
    Microsemi Corporation
    Დეტალური აღწერა:
    IGBT 600V 100A 355W D1.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - RF, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and Thististors - SCRs - მოდულები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Microsemi Corporation APTGF75SK60D1G electronic components. APTGF75SK60D1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGF75SK60D1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTGF75SK60D1G პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : APTGF75SK60D1G
    მწარმოებელი : Microsemi Corporation
    აღწერა : IGBT 600V 100A 355W D1
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
    IGBT ტიპი : NPT
    კონფიგურაცია : Single
    ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 600V
    მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 100A
    ძალა - მაქსიმუმი : 355W
    Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 75A
    მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 500µA
    შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 3.3nF @ 25V
    შეყვანა : Standard
    NTC თერმოსტორი : No
    ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
    პაკეტი / საქმე : D1
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D1

    Უახლესი ცნობები

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • VS-GB90DA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 149A 862W SOT-227.

    • APTGF350DA60G

      Microsemi Corporation

      IGBT 600V 430A 1562W SP6.

    • APTGT100A120D1G

      Microsemi Corporation

      IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1.

    • APTGF90DU60TG

      Microsemi Corporation

      IGBT MODULE NPT DUAL SOURCE SP4.

    • APTGF90A60T1G

      Microsemi Corporation

      POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP1.

    • APTGF75H120TG

      Microsemi Corporation

      POWER MODULE IGBT 1200V 75A SP4.