ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R16160D-6BLI-TR

KEY Part #: K938345

IS43R16160D-6BLI-TR ფასები (აშშ დოლარი) [20182ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.71655
  • 2,500 pcs$2.70303

Ნაწილი ნომერი:
IS43R16160D-6BLI-TR
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA. DRAM 256M (16Mx16) 166MHz DDR 2.5v
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ჩაშენებული - CPLDs (რთული პროგრამირებადი ლოგიკური , ინტერფეისი - მძღოლები, მიმღები, გადამცემები, ხაზოვანი - ვიდეო დამუშავება, საათი / დრო - საათის ბუფერები, მძღოლები, ინტერფეისი - სერიალიზატორი, დესელიზატორები, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - ვიდეო ამპერები და მოდ, ლოგიკა - თარჯიმნები, დონის ძრავები and ლოგიკა - მრიცხველები, გამყოფი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-6BLI-TR electronic components. IS43R16160D-6BLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43R16160D-6BLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43R16160D-6BLI-TR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS43R16160D-6BLI-TR
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR
მეხსიერების ზომა : 256Mb (16M x 16)
საათის სიხშირე : 166MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 700ps
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.3V ~ 2.7V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 60-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 60-TFBGA (8x13)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MR25H10CDCR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • MR25H10CDFR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • W25M512JVFIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • 71V25761S166PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W9812G2KB-6I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,