[10564ცალი საფონდო]
- Ნაწილი ნომერი:
- CY7C1370D-200BZIT
- მწარმოებელი:
- Cypress Semiconductor Corp
- Დეტალური აღწერა:
- IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA.
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: საათი / დრო - ხაზების დაგვიანება, ჩაშენებული - CPLDs (რთული პროგრამირებადი ლოგიკური , ინტერფეისი - სენსორი, capacitive შეხება, ხაზოვანი - შემსრულებლები, ლოგიკა - გეითსი და ინვერტორები, ინტერფეისი - შიფრატორები, დეკოდიერები, გადამყვანი, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - სპეციალური დანიშნულებ and PMIC - ლაზერული დრაივერი ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Cypress Semiconductor Corp CY7C1370D-200BZIT electronic components. CY7C1370D-200BZIT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CY7C1370D-200BZIT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CY7C1370D-200BZIT პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
CY7C1370D-200BZIT
მწარმოებელი :
Cypress Semiconductor Corp
აღწერა :
IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
სერიები :
NoBL™
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
მეხსიერების ტიპი :
Volatile
მეხსიერების ფორმატი :
SRAM
ტექნოლოგია :
SRAM - Synchronous
მეხსიერების ზომა :
18Mb (512K x 36)
საათის სიხშირე :
200MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი :
-
წვდომის დრო :
3ns
მეხსიერების ინტერფეისი :
Parallel
ძაბვა - მიწოდება :
3.135V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
165-LBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
165-FBGA (13x15)
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
-
IS43R86400D-5TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
-
IS43R16320D-5TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
-
IS42VM16320E-75BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 512M, 1.8V, 133Mhz 32Mx16 Mobile SDRAM
-
ცხელი ნაწილები
- AT49BV163D-70TU-T
- MT48LC4M16A2TG-6 IT:G
- MT46V32M16FN-5B:F
- MT46V256M4P-6T:A
- AT49BV002ANT-70PI
- CY7C128A-15PC
- AT27C512R-90RI
- AT24C04N-10SI
- MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C
- 25AA640A-I/S16K
- S99GL01GP11TFIR10
- MT53B768M32D4NQ-053 WT:B
- IS42SM32400G-75BLI-TR
- LE25FW056CS-TRM-E
- AT28HC64BF-70SU
- MT42L256M64D4LM-25 WT:A
- MT41DCHA-V80A:E
- MT29C4G96MAZBACKD-5 WT
- CY7C1380C-167AC
- AT28C64E-12TI
- W25Q32FVSSIG
- S25FL064P0XNFI001
- AT25DF041A-MHF-Y
- MT45W1MW16BDGB-701 IT
- MT41K512M4HX-187E:D
- CY7C1360S-166BZC
- CAT28F010HI12
- IDT71V35761S200PF8
- IDT71256SA12PZ8
- W631GG6KB12I TR
- S70FL01GSAGBHIC13
- 70V05L20J8
- 7038L15PF8
- S34ML02G104BHA010
- CY7C1263V18-375BZXC
- MT29F8G08AAAWP:A TR
- CY14B101K-SP35XCT
- IS42S16160B-6T
- CY7C1399BL-12ZXCT
- S25FL128SDPMFIG03
选择你的位置