თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები
  5. ALD1101PAL

Advanced Linear Devices Inc. - ALD1101PAL

KEY Part #: K6522788

ALD1101PAL ფასები (აშშ დოლარი) [15034ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.71432
  • 10 pcs$1.53011
  • 100 pcs$1.25463
  • 500 pcs$0.96385
  • 1,000 pcs$0.81289
Ნაწილი ნომერი:
ALD1101PAL
მწარმოებელი:
Advanced Linear Devices Inc.
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტირისტორები - TRIACs, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - მასივები and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Advanced Linear Devices Inc. ALD1101PAL electronic components. ALD1101PAL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ALD1101PAL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ALD1101PAL პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : ALD1101PAL
მწარმოებელი : Advanced Linear Devices Inc.
აღწერა : MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET თვისება : Standard
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 10.6V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 Ohm @ 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 10µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : -
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
ძალა - მაქსიმუმი : 500mW
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 70°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : 8-DIP (0.300", 7.62mm)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-PDIP

Უახლესი ცნობები

Advanced Energy Thyro-A Thyristor Power Controllers
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • SI3585CDV-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP.

  • FDG6332C-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 20V SC70-6.

  • FDG8842CZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6.

  • FDG6308P

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6.

  • FDG6317NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6.

  • FDG8850NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC70-6.

ცხელი ნაწილები