Vishay Siliconix - SI5999EDU-T1-GE3

KEY Part #: K6523833

SI5999EDU-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [4034ცალი საფონდო]

  • 3,000 pcs$0.09462

Ნაწილი ნომერი:
SI5999EDU-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, Thististors - SCRs - მოდულები and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI5999EDU-T1-GE3 electronic components. SI5999EDU-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5999EDU-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI5999EDU-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI5999EDU-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
FET ტიპი : 2 P-Channel (Dual)
FET თვისება : Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 59 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 20nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 496pF @ 10V
ძალა - მაქსიმუმი : 10.4W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® ChipFET™ Dual
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® ChipFet Dual

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ