IXYS - DSEI12-10A

KEY Part #: K6441680

DSEI12-10A ფასები (აშშ დოლარი) [54689ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.78603
  • 10 pcs$0.70826
  • 25 pcs$0.63233
  • 100 pcs$0.56916
  • 250 pcs$0.50590
  • 500 pcs$0.44267
  • 1,000 pcs$0.34695
  • 2,500 pcs$0.32302
  • 5,000 pcs$0.31106

Ნაწილი ნომერი:
DSEI12-10A
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220AC. Rectifiers 1000V 12A
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დენის მართვის მოდული, Thististors - SCRs - მოდულები, ტირისტორები - TRIACs and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS DSEI12-10A electronic components. DSEI12-10A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DSEI12-10A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DSEI12-10A პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DSEI12-10A
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220AC
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1000V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 12A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 2.7V @ 12A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 60ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 250µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : TO-220-2
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220AC
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -40°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CDBDSC10650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V

  • CDBDSC5650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V

  • CDBDSC3650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 3A 650V

  • VS-60APU02-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 200V Single Die 3 pins

  • VSB20L45-M3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A P600.

  • VS-C4PH6006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 2x30A FRED Pt TO-247 LL 3L