VS-20ATS08-M3 ფასები (აშშ დოლარი) [31971ცალი საფონდო]
- 1 pcs$1.28907
- 1,000 pcs$1.10291
- Ნაწილი ნომერი:
- VS-20ATS08-M3
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 800V 20A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - TO-220-e3
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - JFET, დენის მართვის მოდული, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-20ATS08-M3 electronic components. VS-20ATS08-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-20ATS08-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-20ATS08-M3 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
VS-20ATS08-M3
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE GEN PURP 800V 20A TO220AB
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
800V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
20A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.1V @ 20A
სიჩქარე :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
-
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
100µA @ 800V
Capacitance @ Vr, F :
-
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
TO-220-3
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-220AB
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-40°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
VS-8EWS10STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK. Rectifiers Input Diodes - D-PAK
-
VS-HFA04SD60STRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A D-PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4 Amp 600 Volt
-
VS-HFA04SD60SR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-8EWS16STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWF12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODES - D-PAK-E3. Rectifiers 8A If; 1200V Vr TO-252AA (DPAK)
-
VS-8EWF04STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
ცხელი ნაწილები
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18
选择你的位置