თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დენის მართვის მოდული
  5. STGIPN3H60-E

STMicroelectronics - STGIPN3H60-E

KEY Part #: K6532454

STGIPN3H60-E ფასები (აშშ დოლარი) [16179ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.55998
  • 476 pcs$2.54725
Ნაწილი ნომერი:
STGIPN3H60-E
მწარმოებელი:
STMicroelectronics
Დეტალური აღწერა:
PWR MODULE 600V 3A 26-POWERDIP.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in STMicroelectronics STGIPN3H60-E electronic components. STGIPN3H60-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STGIPN3H60-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGIPN3H60-E პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : STGIPN3H60-E
მწარმოებელი : STMicroelectronics
აღწერა : PWR MODULE 600V 3A 26-POWERDIP
სერიები : SLLIMM™
ნაწილის სტატუსი : Active
ტიპი : IGBT
კონფიგურაცია : 3 Phase Inverter
მიმდინარე : 3A
Ვოლტაჟი : 600V
ძაბვა - იზოლაცია : 1000Vrms
პაკეტი / საქმე : 26-PowerDIP Module (0.846", 21.48mm)

Უახლესი ცნობები

STMicroelectronics ADC120 12-Bit Analog-to-Digital Converter (ADC)
STMicroelectronics EVALSTDRIVE601 Demonstration Board
STMicroelectronics STM32G4x4E-EVAL Evaluation Boards
STMicroelectronics STLINK-V3SET Modular In-Circuit Debugger
STMicroelectronics VIPER122 High Voltage Converter
STMicroelectronics STREF-SCS001V1 Reference Design
STMicroelectronics NUCLEO-G031K8 STM32G0 Nucleo-32 Board
STMicroelectronics STEVAL-VP26K01F Evaluation Board
STMicroelectronics STM32H745I-DISCO Discovery Kits
STMicroelectronics B-G474E-DPOW1 Discovery Kit
STMicroelectronics STM32MP1 Microprocessor Series
STMicroelectronics NUCLEO-G431RB STM32G4 Nucleo-64 Board
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GA100SICP12-227

    GeneSiC Semiconductor

    SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV.

  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A1P35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.

ცხელი ნაწილები