Diodes Incorporated - SBR1U200P1Q-7

KEY Part #: K6435217

SBR1U200P1Q-7 ფასები (აშშ დოლარი) [413244ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.08951
  • 3,000 pcs$0.08011

Ნაწილი ნომერი:
SBR1U200P1Q-7
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
DIODE SBR 200V 1A POWERDI123. Schottky Diodes & Rectifiers Super Barrier Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and Thististors - SCRs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated SBR1U200P1Q-7 electronic components. SBR1U200P1Q-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SBR1U200P1Q-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SBR1U200P1Q-7 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SBR1U200P1Q-7
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : DIODE SBR 200V 1A POWERDI123
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Super Barrier
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 820mV @ 1A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 25ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 500µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : POWERDI®123
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerDI™ 123
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CRG03(TE85L,Q,M)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 400V 1A SFLAT.

  • 1SS401(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE SCHOTTKY 20V 300MA SC70. Schottky Diodes & Rectifiers 0.3A 20V 0.16Vf Small Sig Diode

  • 1N5395GHB0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO204AC.

  • SR202HA0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE SCHOTTKY 20V 2A DO204AC. Schottky Diodes & Rectifiers 2A 20V Schottky Rectifier

  • FR207G A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 2A DO204AC. Rectifiers 500ns 2A 1000V Fast Recov Rectifier

  • FR154G A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO204AC. Rectifiers 150ns 1.5A 400V Fs Recov Rectifier