ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43LR16640A-6BLI

KEY Part #: K929411

IS43LR16640A-6BLI ფასები (აშშ დოლარი) [10818ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$5.11992
  • 300 pcs$5.09445

Ნაწილი ნომერი:
IS43LR16640A-6BLI
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA. DRAM 1G, 1.8V, 166Mhz 64Mx16 Mobile DDR
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - LED მძღოლები, ლოგიკა - შემსრულებლები, ჩაშენებული - მიკროკონტროლები, PMIC - კარიბჭის მძღოლები, მონაცემთა შეძენა - ADC / DAC - სპეციალური დანიშნულ, ინტერფეისი - სიგნალის ტერმინატორები, PMIC - სრული, ნახევარ ხიდი მძღოლები and მონაცემთა შეძენა - ანალოგური წინა ბოლოს (AFE) ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16640A-6BLI electronic components. IS43LR16640A-6BLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43LR16640A-6BLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43LR16640A-6BLI პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS43LR16640A-6BLI
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - Mobile LPDDR
მეხსიერების ზომა : 1Gb (64M x 16)
საათის სიხშირე : 166MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 5ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.95V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 60-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 60-TWBGA (8x10)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TH58NYG3S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V. NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • M93S56-WMN6T

    STMicroelectronics

    IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8SO.

  • S29GL01GT10FHI030

    Cypress Semiconductor Corp

    IC 1 GB FLASH MEMORY. NOR Flash IC 1 Gb FLASH MEMORY

  • S29GL01GT11FHIV40

    Cypress Semiconductor Corp

    IC NOR. NOR Flash Nor

  • S29GL01GT10FHI040

    Cypress Semiconductor Corp

    IC NOR. NOR Flash Nor

  • S29GL01GT10FAI010

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 1G PARALLEL.