Micron Technology Inc. - MT28EW512ABA1LPC-0AAT TR

KEY Part #: K937539

MT28EW512ABA1LPC-0AAT TR ფასები (აშშ დოლარი) [17191ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.02809
  • 2,000 pcs$3.01302

Ნაწილი ნომერი:
MT28EW512ABA1LPC-0AAT TR
მწარმოებელი:
Micron Technology Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA. NOR Flash EW-SERIES FLASH NOR SLC 32MX16 LBGA
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ლოგიკა - თარჯიმნები, დონის ძრავები, ინტერფეისი - სპეციალიზირებული, PMIC - ძაბვის მითითება, ინტერფეისი - მოდულები, ლოგიკა - მრიცხველები, გამყოფი, მეხსიერება, ინტერფეისი - ტელეკომი and მონაცემთა შეძენა - ციფრული პოტენომეტრები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Micron Technology Inc. MT28EW512ABA1LPC-0AAT TR electronic components. MT28EW512ABA1LPC-0AAT TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT28EW512ABA1LPC-0AAT TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT28EW512ABA1LPC-0AAT TR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : MT28EW512ABA1LPC-0AAT TR
მწარმოებელი : Micron Technology Inc.
აღწერა : IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA
სერიები : Automotive, AEC-Q100
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი : FLASH
ტექნოლოგია : FLASH - NOR
მეხსიერების ზომა : 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
საათის სიხშირე : -
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 60ns
წვდომის დრო : 105ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.7V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 105°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 64-LBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 64-LBGA (11x13)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MB85RS1MTPH-G-JNE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 1M SPI 40MHZ 8DIP.

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S25FS512SDSNFV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M SPI 80MHZ. NOR Flash Nor

  • S29GL512T12DHVV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC NOR. NOR Flash Nor