Infineon Technologies - FZ900R12KP4HOSA1

KEY Part #: K6534328

FZ900R12KP4HOSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [599ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$77.58309

Ნაწილი ნომერი:
FZ900R12KP4HOSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOD IGBT MED PWR 62MM-2.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ხიდის გასწორება, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - RF, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies FZ900R12KP4HOSA1 electronic components. FZ900R12KP4HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FZ900R12KP4HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FZ900R12KP4HOSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FZ900R12KP4HOSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOD IGBT MED PWR 62MM-2
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : -
კონფიგურაცია : Single
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 900A
ძალა - მაქსიმუმი : -
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.05V @ 15V, 900A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 5mA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 56nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : No
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 125°C
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : Module
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Module

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • STGE50NB60HD

    STMicroelectronics

    IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP.