Toshiba Semiconductor and Storage - TK160F10N1L,LQ

KEY Part #: K6418601

TK160F10N1L,LQ ფასები (აშშ დოლარი) [69651ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.56138

Ნაწილი ნომერი:
TK160F10N1L,LQ
მწარმოებელი:
Toshiba Semiconductor and Storage
Დეტალური აღწერა:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - RF, Thististors - SCRs - მოდულები, დენის მართვის მოდული and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L,LQ electronic components. TK160F10N1L,LQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK160F10N1L,LQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK160F10N1L,LQ პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : TK160F10N1L,LQ
მწარმოებელი : Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
სერიები : U-MOSVIII-H
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 160A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 122nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 10100pF @ 10V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 375W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : 175°C
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220SM(W)
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • FDD8896

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IXTY24N15T

    IXYS

    MOSFET N-CH 150V 24A TO-252.

  • IXTY15N20T

    IXYS

    MOSFET N-CH 200V 15A TO-252.