Infineon Technologies - BSM50GD120DLCBOSA1

KEY Part #: K6534406

BSM50GD120DLCBOSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [657ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$70.67499

Ნაწილი ნომერი:
BSM50GD120DLCBOSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ხიდის გასწორება and ტირისტორები - TRIACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies BSM50GD120DLCBOSA1 electronic components. BSM50GD120DLCBOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM50GD120DLCBOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM50GD120DLCBOSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BSM50GD120DLCBOSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
IGBT ტიპი : -
კონფიგურაცია : Three Phase Inverter
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 85A
ძალა - მაქსიმუმი : 350W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.6V @ 15V, 50A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 84µA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 3.3nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : No
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 125°C
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : Module
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Module

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • STGE50NB60HD

    STMicroelectronics

    IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP.