Winbond Electronics - W987D6HBGX6E

KEY Part #: K942322

W987D6HBGX6E ფასები (აშშ დოლარი) [45741ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.07481
  • 312 pcs$1.06947

Ნაწილი ნომერი:
W987D6HBGX6E
მწარმოებელი:
Winbond Electronics
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA. DRAM 128M mSDR, x16, 166MHz
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: მონაცემთა შეძენა - ანალოგური წინა ბოლოს (AFE), ლოგიკა - კარიბჭე და ინვერტორები - მრავალფუნქციური,, აუდიო სპეციალური დანიშნულების, ლოგიკა - მრიცხველები, გამყოფი, მეხსიერება - კონფიგურაციის პროფილაქტიკა FPGA– სთვი, PMIC - ენერგეტიკის მენეჯმენტი - სპეციალიზირებული, PMIC - ძაბვის მითითება and ინტერფეისი - UARTs (უნივერსალური ასინქრონული მიმღე ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Winbond Electronics W987D6HBGX6E electronic components. W987D6HBGX6E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W987D6HBGX6E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W987D6HBGX6E პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : W987D6HBGX6E
მწარმოებელი : Winbond Electronics
აღწერა : IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - Mobile LPSDR
მეხსიერების ზომა : 128Mb (8M x 16)
საათის სიხშირე : 166MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 5.4ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.95V
ოპერაციული ტემპერატურა : -25°C ~ 85°C (TC)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 54-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 54-VFBGA (8x9)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IS25LQ032B-JKLE-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON.

  • IS25WP128F-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 128Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • W25Q256JVEIM TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector, DTR

  • W25Q256JVEIQ TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W25Q128FWPIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON.

  • FM25L16B-DG

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 16K SPI 20MHZ 8TDFN. F-RAM 16K Serial SPI 3V FRAM