Infineon Technologies - BAT6302VH6327XTSA1

KEY Part #: K6464466

BAT6302VH6327XTSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [770102ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.05068
  • 3,000 pcs$0.05043
  • 6,000 pcs$0.04737
  • 15,000 pcs$0.04432
  • 30,000 pcs$0.04075

Ნაწილი ნომერი:
BAT6302VH6327XTSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
RF DIODE SCHOTTKY 3V 100MW SC79.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტირისტორები - TRIACs and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies BAT6302VH6327XTSA1 electronic components. BAT6302VH6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAT6302VH6327XTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAT6302VH6327XTSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BAT6302VH6327XTSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : RF DIODE SCHOTTKY 3V 100MW SC79
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Schottky - Single
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 3V
მიმდინარე - მაქს : 100mA
Capacitance @ Vr, F : 0.85pF @ 0.2V, 1MHz
წინააღმდეგობა @ თუ, ვ : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 100mW
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
პაკეტი / საქმე : SC-79, SOD-523
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-SC79-2

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ