Vishay Semiconductor Diodes Division - EGL41CHE3_A/I

KEY Part #: K6439420

EGL41CHE3_A/I ფასები (აშშ დოლარი) [758794ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.04875

Ნაწილი ნომერი:
EGL41CHE3_A/I
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB. Rectifiers 1A,150V,50NS AEC-Q101 Qualified
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - RF and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGL41CHE3_A/I electronic components. EGL41CHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGL41CHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EGL41CHE3_A/I პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : EGL41CHE3_A/I
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB
სერიები : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 150V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 1A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 50ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 150V
Capacitance @ Vr, F : 20pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-213AB, MELF (Glass)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-213AB
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DPG10IM300UC

    IXYS

    DIODE GEN PURP 300V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching 10 Amps 300V

  • DSS6-0025BS

    IXYS

    DIODE SCHOTTKY 25V 6A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers 6 Amps 25V

  • DSEP6-06BS

    IXYS

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6 Amps 600V

  • DLA10IM800UC

    IXYS

    DIODE GEN PURP 800V 10A TO252. Rectifiers 10 Amps 800V

  • APT30DQ120KG

    Microsemi Corporation

    DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220. Diodes - General Purpose, Power, Switching FG, FRED, 1200V,TO-220, RoHS

  • S1FLK-GS18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO219AB. Rectifiers GENPURP SWITCHING DIODESMFDO219ECO-e3