Microsemi Corporation - JANTX1N6643U

KEY Part #: K6427567

JANTX1N6643U ფასები (აშშ დოლარი) [9715ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$4.34821
  • 100 pcs$4.32657

Ნაწილი ნომერი:
JANTX1N6643U
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N6643U electronic components. JANTX1N6643U can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N6643U, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N6643U პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JANTX1N6643U
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF
სერიები : Military, MIL-PRF-19500/578
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 50V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 300mA (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.2V @ 100mA
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 20ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 500nA @ 50V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SQ-MELF, B
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-5B
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GP2D003A060C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 600V 3A DPAK-2.

  • GP2D008A120C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHTKY 1.2KV 24A TO252-2L.

  • V35PWM60-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

  • V35PWM12HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers If(AV) 35A Vrrm 120V TMBS eSMP Trench MOS

  • V35PWM45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

  • V20PWM60HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified