Microsemi Corporation - APT50GR120JD30

KEY Part #: K6533687

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Microsemi Corporation APT50GR120JD30 electronic components. APT50GR120JD30 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT50GR120JD30, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : APT50GR120JD30

მწარმოებელი : Microsemi Corporation

აღწერა : IGBT 1200V 84A 417W SOT227

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Active

IGBT ტიპი : NPT

კონფიგურაცია : Single

ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V

მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 84A

ძალა - მაქსიმუმი : 417W

Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 3.2V @ 15V, 50A

მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 1.1mA

შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 5.55nF @ 25V

შეყვანა : Standard

NTC თერმოსტორი : No

ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)

სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount

პაკეტი / საქმე : SOT-227-4

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-227

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

VS-GT175DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.
VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.
VS-GT100NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 184A 577W SOT-227.
VS-GT100DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.