Vishay Semiconductor Diodes Division - BYWE29-200-E3/45

KEY Part #: K6448721

BYWE29-200-E3/45 ფასები (აშშ დოლარი) [106274ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.34804
  • 3,000 pcs$0.13320

Ნაწილი ნომერი:
BYWE29-200-E3/45
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYWE29-200-E3/45 electronic components. BYWE29-200-E3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYWE29-200-E3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYWE29-200-E3/45 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BYWE29-200-E3/45
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 8A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.3V @ 20A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 25ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : 45pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : TO-220-2
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220AC
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ