Microsemi Corporation - 1N5811TR

KEY Part #: K6451676

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დენის მართვის მოდული, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Microsemi Corporation 1N5811TR electronic components. 1N5811TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5811TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : 1N5811TR

მწარმოებელი : Microsemi Corporation

აღწერა : DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Active

დიოდის ტიპი : Standard

ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 150V

მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 6A

ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 875mV @ 4A

სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

უკუ აღდგენის დრო (trr) : 30ns

მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 150V

Capacitance @ Vr, F : -

სამონტაჟო ტიპი : Through Hole

პაკეტი / საქმე : B, Axial

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -

ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

VS-50WQ10FNTR-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
30WQ10FNTR

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 100V 3.5A DPAK.
8EWS08S

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK.
8EWF06S

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK.
8EWF06STRL

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK.
8EWF02S

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK.

ცხელი ნაწილები