Microsemi Corporation - JANTXV1N5419US

KEY Part #: K6448087

JANTXV1N5419US ფასები (აშშ დოლარი) [3733ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$11.66118
  • 100 pcs$11.60316

Ნაწილი ნომერი:
JANTXV1N5419US
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF. Diodes - General Purpose, Power, Switching Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დენის მართვის მოდული and დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N5419US electronic components. JANTXV1N5419US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N5419US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5419US პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JANTXV1N5419US
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF
სერიები : Military, MIL-PRF-19500/411
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 500V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.5V @ 9A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 250ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 500V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SQ-MELF, B
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-5B
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GPP60GHE3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 6A P600.

  • GPP60DHE3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 6A P600.

  • GPP60D-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 6A P600.

  • GPP60BHE3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 6A P600.

  • GPP60AHE3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 6A P600.

  • GPP60A-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 6A P600.