Microsemi Corporation - JANTX1N4122-1

KEY Part #: K6479706

JANTX1N4122-1 ფასები (აშშ დოლარი) [7890ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$4.12054
  • 10 pcs$3.70849
  • 25 pcs$3.37894
  • 100 pcs$3.04920
  • 250 pcs$2.80197
  • 500 pcs$2.55474
  • 1,000 pcs$2.22509

Ნაწილი ნომერი:
JANTX1N4122-1
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE ZENER 36V 500MW DO35. Zener Diodes Zener Diodes
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტირისტორები - TRIACs and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N4122-1 electronic components. JANTX1N4122-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N4122-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N4122-1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JANTX1N4122-1
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE ZENER 36V 500MW DO35
სერიები : Military, MIL-PRF-19500/435
ნაწილის სტატუსი : Active
ვოლტაჟი - ზენერი (სახელი) (Vz) : 36V
ტოლერანტობა : ±5%
ძალა - მაქსიმუმი : 500mW
წინაღობა (მაქს) (ზზტ) : 200 Ohms
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10nA @ 27.4V
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 200mA
ოპერაციული ტემპერატურა : -65°C ~ 175°C
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : DO-204AH, DO-35, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-35

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAW156E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MMBD1705A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.

  • SMBD7000E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A

  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

  • BAV70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA