ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR16640C-3DBLI

KEY Part #: K936786

IS43DR16640C-3DBLI ფასები (აშშ დოლარი) [15025ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$4.05444

Ნაწილი ნომერი:
IS43DR16640C-3DBLI
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA. DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,64Mx16, IT
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - CODEC, ხაზოვანი - შემსრულებლები, PMIC - ან კონტროლერები, იდეალური დიოდები, სპეციალიზებული აივ, ლოგიკა - ფლიპ ფლოპები, ინტერფეისი - UARTs (უნივერსალური ასინქრონული მიმღე, ხაზოვანი - ანალოგური მულტიპლიკატორები, გამყოფი and PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640C-3DBLI electronic components. IS43DR16640C-3DBLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR16640C-3DBLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR16640C-3DBLI პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS43DR16640C-3DBLI
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR2
მეხსიერების ზომა : 1Gb (64M x 16)
საათის სიხშირე : 333MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 450ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.9V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 84-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 84-TWBGA (8x12.5)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FM25V02A-DGQ

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. F-RAM F-RAM Memory Serial

  • MR25H10CDF

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • MB85RS2MTPH-G-JNE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 25MHZ 8DIP.

  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61NLP25618EC-200TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb, 3.3v, 200Mhz 256K x 18 Sync SRAM