Micron Technology Inc. - MT29F4G08ABADAH4:D TR

KEY Part #: K938504

MT29F4G08ABADAH4:D TR ფასები (აშშ დოლარი) [20707ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.21289
  • 1,000 pcs$2.16709

Ნაწილი ნომერი:
MT29F4G08ABADAH4:D TR
მწარმოებელი:
Micron Technology Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash SLC 4G 512MX8 FBGA
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ჩაშენებული - სისტემა ჩიპზე (SoC), PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი რეგულატორის , მეხსიერება - კონფიგურაციის პროფილაქტიკა FPGA– სთვი, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - აუდიო, PMIC - AC DC გადამყვანი, ოფლაინ გადამრთველები, საათი / დრო - განაცხადის სპეციფიკური, ინტერფეისი - კონტროლერები and მონაცემთა შეძენა - ADC / DAC - სპეციალური დანიშნულ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAH4:D TR electronic components. MT29F4G08ABADAH4:D TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29F4G08ABADAH4:D TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F4G08ABADAH4:D TR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : MT29F4G08ABADAH4:D TR
მწარმოებელი : Micron Technology Inc.
აღწერა : IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი : FLASH
ტექნოლოგია : FLASH - NAND
მეხსიერების ზომა : 4Gb (512M x 8)
საათის სიხშირე : -
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : -
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.7V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 70°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 63-VFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 63-VFBGA (9x11)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • AT28HC64BF-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 120NS IND TEMP

  • AT28HC64B-90SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 90NS IND TEMP

  • IS61LP6436A-133TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx36 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • IS61LP6432A-133TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • IS61LF6436A-8.5TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx36 8.5ns Sync SRAM 3.3v

  • IS61NLP6432A-200TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 200Mhz Sync SRAM 3.3v