Vishay Semiconductor Diodes Division - MUH1PD-M3/89A

KEY Part #: K6437544

MUH1PD-M3/89A ფასები (აშშ დოლარი) [992900ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.03725
  • 9,000 pcs$0.03276

Ნაწილი ნომერი:
MUH1PD-M3/89A
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 200V 1A MICROSMP.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and Thististors - SCRs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division MUH1PD-M3/89A electronic components. MUH1PD-M3/89A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MUH1PD-M3/89A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MUH1PD-M3/89A პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : MUH1PD-M3/89A
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 200V 1A MICROSMP
სერიები : eSMP®
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.05V @ 1A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 40ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : MicroSMP
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : MicroSMP
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GL34G/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • GL34D/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

  • NSB8MT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8JT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3

  • MBRB10H100-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM

  • NSB8AT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM