IXYS - IXFN66N50Q2

KEY Part #: K6413301

[13147ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IXFN66N50Q2
    მწარმოებელი:
    IXYS
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - RF, ტირისტორები - სკკ, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in IXYS IXFN66N50Q2 electronic components. IXFN66N50Q2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN66N50Q2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFN66N50Q2 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IXFN66N50Q2
    მწარმოებელი : IXYS
    აღწერა : MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
    სერიები : HiPerFET™
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 500V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 66A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 500mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 8mA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 199nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±30V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 6800pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 735W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-227B
    პაკეტი / საქმე : SOT-227-4, miniBLOC

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • IRF5802TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

    • 2N7000RLRMG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

    • BTS282Z E3180A

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

    • IRFR3910CPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 16A DPAK.

    • IRFR3303CPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 33A DPAK.

    • 2SK3127(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM.