ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46DR16640C-3DBLA1-TR

KEY Part #: K938173

Დეტალური აღწერა:: IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ. DRAM Automotive 1G 1.8V DDR2 64Mx16 333MHz

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - ძაბვის რეგულატორები - DC DC გადართვის რეგულ, ინტერფეისი - სენსორი, capacitive შეხება, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - აუდიო, PMIC - ენერგიის გაზომვა, ინტერფეისი - ტელეკომი, საათი / დრო - პროგრამირებადი ქრონომეტრები და ოსცილ, საათი / დრო - საათის გენერატორი, PLL, სიხშირის სინ and PMIC - თერმული მენეჯმენტი ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640C-3DBLA1-TR electronic components. IS46DR16640C-3DBLA1-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46DR16640C-3DBLA1-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : IS46DR16640C-3DBLA1-TR

მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

აღწერა : IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Active

მეხსიერების ტიპი : Volatile

მეხსიერების ფორმატი : DRAM

ტექნოლოგია : SDRAM - DDR2

მეხსიერების ზომა : 1Gb (64M x 16)

საათის სიხშირე : 333MHz

დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns

წვდომის დრო : 450ps

მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel

ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.9V

ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)

სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount

პაკეტი / საქმე : 84-TFBGA

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 84-TWBGA (8x12.5)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

AT27C4096-90PU

Microchip Technology

IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns
71V3576S150PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.
71V3577S75PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
W94AD2KBJX5I

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp
TC58BYG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TC58BVG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)