Taiwan Semiconductor Corporation - SF2005GHC0G

KEY Part #: K6429043

SF2005GHC0G ფასები (აშშ დოლარი) [222668ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.16611

Ნაწილი ნომერი:
SF2005GHC0G
მწარმოებელი:
Taiwan Semiconductor Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 300V 20A TO220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება and დიოდები - გასწორება - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation SF2005GHC0G electronic components. SF2005GHC0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SF2005GHC0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SF2005GHC0G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SF2005GHC0G
მწარმოებელი : Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 300V 20A TO220AB
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 300V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 20A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.3V @ 10A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 35ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 300V
Capacitance @ Vr, F : 80pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : TO-220-3
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220AB
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DB3X313K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA MINI3.

  • DA3X107K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 300V 100MA MINI3.

  • 1SS190TE85LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching Diode S-Mini High

  • DB3X603K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 60V 500MA MINI3.

  • DB3X407K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 40V 500MA MINI3.

  • MBR1050HC0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 50V 10A TO220AC.