VS-ST110S12P2V ფასები (აშშ დოლარი) [976ცალი საფონდო]
- 1 pcs$47.54903
- 25 pcs$45.28478
- Ნაწილი ნომერი:
- VS-ST110S12P2V
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- SCR 1200V 175A TO-94. SCRs Thyristors - TO-83/94 COM RD-e3
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ST110S12P2V electronic components. VS-ST110S12P2V can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-ST110S12P2V, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-ST110S12P2V პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
VS-ST110S12P2V
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
SCR 1200V 175A TO-94
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
ძაბვა - გამორთული სახელმწიფო :
1.2kV
ვოლტაჟი - Gate Trigger (Vgt) (Max) :
3V
მიმდინარე - Gate Trigger (Igt) (მაქსიმალური) :
150mA
ძაბვა - სახელმწიფოზე (ვტმ) (მაქს) :
1.52V
მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური) :
110A
მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური) :
175A
მიმდინარე - გამართავს (Ih) (მაქსიმალური) :
600mA
მიმდინარე - გამორთული სახელმწიფო (მაქსიმალური) :
20mA
ამჟამინდელი - 50 – დან 60 ჰერცირზე მეტი სიჩქარე (მისი სიჩქარე) :
2270A, 2380A
SCR ტიპი :
Standard Recovery
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 125°C
სამონტაჟო ტიპი :
Chassis, Stud Mount
პაკეტი / საქმე :
TO-209AC, TO-94-4, Stud
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-209AC (TO-94)
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAS16E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS16WH6327XTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR
ცხელი ნაწილები
- T607101854BT
- C150C
- BT151S-650SJ
- CS220-16M
- JANTXV2N2325AU4
- JAN2N2329U4
- JAN2N2326
- 2N2323U4
- CS218I-50M
- CS218-55D
- CR12CS-16B#B00
- VS-50RIA160MS90
- JANTX2N2326
- CR05BM-12A#B00
- TIC116S-S
- T7SH066054DN
- T727024544DN
- S5025R
- VS-25TTS08PBF
- P0111DN 5AA4
- S6025L58
- S6008L53
- S2006LS3
- 70TPS16
- MCR08MT1
- S8010L
- SK055R
- SK010V
- 40TPS12A
- 16TTS08
- CS35-08IO4
- S4008R
- TDS4244002DH
- T72H023564DN
- X0203MA 5BL2
- S2070WTP
- 12TTS08STRL
- 40TPS12
- CS19-12HO1C
- CS19-08HO1S-TUB
选择你的位置