Infineon Technologies - IPB407N30NATMA1

KEY Part #: K6416801

IPB407N30NATMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [19740ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.08766
  • 1,000 pcs$1.91528

Ნაწილი ნომერი:
IPB407N30NATMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ხიდის გასწორება, Thististors - SCRs - მოდულები, დენის მართვის მოდული, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPB407N30NATMA1 electronic components. IPB407N30NATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB407N30NATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB407N30NATMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPB407N30NATMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH TO263-3
სერიები : OptiMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 300V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 44A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40.7 mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 270µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 87nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 7180pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 300W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D²PAK (TO-263AB)
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 2N7000BU

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • ZVN4424A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3.

  • 2N7000-D26Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • FDD6N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK.

  • FQD3N60CTM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK.

  • IRLR7833

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 140A DPAK.