Powerex Inc. - C398N

KEY Part #: K6458722

C398N ფასები (აშშ დოლარი) [869ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$53.49110
  • 30 pcs$52.19440

Ნაწილი ნომერი:
C398N
მწარმოებელი:
Powerex Inc.
Დეტალური აღწერა:
THYRISTOR INV 410A 800V TO-200AC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ხიდის გასწორება, Thististors - DIACs, SIDACs and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Powerex Inc. C398N electronic components. C398N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for C398N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

C398N პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : C398N
მწარმოებელი : Powerex Inc.
აღწერა : THYRISTOR INV 410A 800V TO-200AC
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ძაბვა - გამორთული სახელმწიფო : -
ვოლტაჟი - Gate Trigger (Vgt) (Max) : -
მიმდინარე - Gate Trigger (Igt) (მაქსიმალური) : -
ძაბვა - სახელმწიფოზე (ვტმ) (მაქს) : -
მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური) : -
მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური) : -
მიმდინარე - გამართავს (Ih) (მაქსიმალური) : -
მიმდინარე - გამორთული სახელმწიფო (მაქსიმალური) : -
ამჟამინდელი - 50 – დან 60 ჰერცირზე მეტი სიჩქარე (მისი სიჩქარე) : -
SCR ტიპი : Standard Recovery
ოპერაციული ტემპერატურა : -
სამონტაჟო ტიპი : -
პაკეტი / საქმე : -
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode

  • BAL99E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode