თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები
  5. EPC2104ENGRT

EPC - EPC2104ENGRT

KEY Part #: K6522822

EPC2104ENGRT ფასები (აშშ დოლარი) [17412ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.37873
  • 500 pcs$2.36689
Ნაწილი ნომერი:
EPC2104ENGRT
მწარმოებელი:
EPC
Დეტალური აღწერა:
GANFET 2NCH 100V 23A DIE.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, Thististors - DIACs, SIDACs, ტირისტორები - TRIACs, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - მასივები and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in EPC EPC2104ENGRT electronic components. EPC2104ENGRT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2104ENGRT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2104ENGRT პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : EPC2104ENGRT
მწარმოებელი : EPC
აღწერა : GANFET 2NCH 100V 23A DIE
სერიები : eGaN®
ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
FET ტიპი : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET თვისება : GaNFET (Gallium Nitride)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.3 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 5.5mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 7nC @ 5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 800pF @ 50V
ძალა - მაქსიმუმი : -
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : Die
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Die
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • SI3585CDV-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP.

  • FDG6332C

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 20V SC70-6.

  • FDG6304P

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6.

  • FDG6306P

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6.

  • FDG6303N

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6.

  • FDG6301N

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6.

ცხელი ნაწილები