GeneSiC Semiconductor - GA50JT12-247

KEY Part #: K6395707

GA50JT12-247 ფასები (აშშ დოლარი) [896ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$56.45706
  • 10 pcs$52.92992
  • 25 pcs$50.45983

Ნაწილი ნომერი:
GA50JT12-247
მწარმოებელი:
GeneSiC Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
TRANS SJT 1.2KV 50A.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and ტირისტორები - სკკ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GA50JT12-247 electronic components. GA50JT12-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA50JT12-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA50JT12-247 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : GA50JT12-247
მწარმოებელი : GeneSiC Semiconductor
აღწერა : TRANS SJT 1.2KV 50A
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : -
ტექნოლოგია : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 50A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : -
Vgs (მაქს) : -
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 7209pF @ 800V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 583W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-247AB
პაკეტი / საქმე : TO-247-3
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ