Ნაწილი ნომერი :
GA50JT12-247
მწარმოებელი :
GeneSiC Semiconductor
აღწერა :
TRANS SJT 1.2KV 50A
ტექნოლოგია :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
1200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 50A
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
-
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
7209pF @ 800V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
583W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-247AB
პაკეტი / საქმე :
TO-247-3