Vishay Semiconductor Diodes Division - SE50PAJ-M3/I

KEY Part #: K6428672

SE50PAJ-M3/I ფასები (აშშ დოლარი) [477636ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.07744
  • 3,500 pcs$0.07081
  • 7,000 pcs$0.06624
  • 10,500 pcs$0.06167
  • 24,500 pcs$0.06091

Ნაწილი ნომერი:
SE50PAJ-M3/I
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 600V 1.6A DO221BC. Rectifiers 5A, 600V, ESD PROTECTION, SMPA
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტირისტორები - სკკ, Thististors - DIACs, SIDACs and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SE50PAJ-M3/I electronic components. SE50PAJ-M3/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SE50PAJ-M3/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SE50PAJ-M3/I პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SE50PAJ-M3/I
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 1.6A DO221BC
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1.6A (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 940mV @ 2.5A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 2µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : 32pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-221BC (SMPA)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CDSV-20-G

    Comchip Technology

    DIODE GEN PURP 150V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 150V 200mA 200mW

  • CDBV140-G

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers VR=40V IO=1A

  • CDBV120-G

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers VR=20V IO=1A

  • VS-3EJH02HM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 3A 200V Fred Pt Rfr AEC-Q101

  • VS-2EJH01HM3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 100V Fred Pt Rfr AEC-Q101

  • VS-3EJH02-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 3A 200V Fred Pt Rectfr