Macronix - MX29GL512GUT2I-11G

KEY Part #: K938090

MX29GL512GUT2I-11G ფასები (აშშ დოლარი) [19182ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.38886

Ნაწილი ნომერი:
MX29GL512GUT2I-11G
მწარმოებელი:
Macronix
Დეტალური აღწერა:
IC FLASH 512MBIT.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: მეხსიერება - კონფიგურაციის პროფილაქტიკა FPGA– სთვი, PMIC - განათების, ბალასტის კონტროლერები, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი + გადართვა, საათი / დრო - ხაზების დაგვიანება, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - DC DC გადართვის კონტრ, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - DC DC გადართვის რეგულ, ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის and PMIC - ძაბვის მითითება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Macronix MX29GL512GUT2I-11G electronic components. MX29GL512GUT2I-11G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MX29GL512GUT2I-11G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MX29GL512GUT2I-11G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : MX29GL512GUT2I-11G
მწარმოებელი : Macronix
აღწერა : IC FLASH 512MBIT
სერიები : *
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : -
მეხსიერების ფორმატი : -
ტექნოლოგია : -
მეხსიერების ზომა : -
საათის სიხშირე : -
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : -
მეხსიერების ინტერფეისი : -
ძაბვა - მიწოდება : -
ოპერაციული ტემპერატურა : -
სამონტაჟო ტიპი : -
პაკეტი / საქმე : -
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GD25S512MDFIGR

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

    NOR FLASH.

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58NVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S29GL512T11DHIV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash NOR

  • S29GL512S11DHIV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash Nor