Microsemi Corporation - JAN1N6677UR-1

KEY Part #: K6442524

[3104ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    JAN1N6677UR-1
    მწარმოებელი:
    Microsemi Corporation
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - JFET, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Microsemi Corporation JAN1N6677UR-1 electronic components. JAN1N6677UR-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N6677UR-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JAN1N6677UR-1 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : JAN1N6677UR-1
    მწარმოებელი : Microsemi Corporation
    აღწერა : DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA
    სერიები : Military, MIL-PRF-19500/610
    ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
    დიოდის ტიპი : Schottky
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 40V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 200mA
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 500mV @ 200mA
    სიჩქარე : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 50µA @ 40V
    Capacitance @ Vr, F : 50pF @ 0V, 1MHz
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : DO-213AA (Glass)
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-213AA
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

    Უახლესი ცნობები

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • UD0506T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

    • RD0306T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 3A TPFA.

    • GP2D010A120C

      Global Power Technologies Group

      DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2.

    • GP2D006A065C

      Global Power Technologies Group

      DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO252-2.

    • GP2D005A120C

      Global Power Technologies Group

      DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2.

    • STPS20M100SFP

      STMicroelectronics

      DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220FP.