IXYS - IXTN200N10L2

KEY Part #: K6398751

IXTN200N10L2 ფასები (აშშ დოლარი) [2499ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$18.19379
  • 10 pcs$16.82937
  • 25 pcs$15.46477
  • 100 pcs$14.37309
  • 250 pcs$13.19050

Ნაწილი ნომერი:
IXTN200N10L2
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - RF, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXTN200N10L2 electronic components. IXTN200N10L2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTN200N10L2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTN200N10L2 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXTN200N10L2
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227
სერიები : Linear L2™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 178A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 3mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 540nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 23000pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 830W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-227B
პაკეტი / საქმე : SOT-227-4, miniBLOC

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TP2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 400V 0.18A TO92-3.

  • VP0104N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 0.25A TO92-3.

  • VP3203N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3.

  • R5011FNX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM.

  • IPA80R280P7XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V 17A TO220.

  • R6009KNX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM.