Infineon Technologies - T2161N52TOHXPSA1

KEY Part #: K6536746

[13934ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    T2161N52TOHXPSA1
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    SCR MODULE 5200V 3250A DO200AE.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies T2161N52TOHXPSA1 electronic components. T2161N52TOHXPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for T2161N52TOHXPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    T2161N52TOHXPSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : T2161N52TOHXPSA1
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : SCR MODULE 5200V 3250A DO200AE
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    სტრუქტურა : Single
    SCR– ების რაოდენობა, დიოდები : 1 SCR
    ძაბვა - გამორთული სახელმწიფო : 5.2kV
    მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური) : 2860A
    მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური) : 3250A
    ვოლტაჟი - Gate Trigger (Vgt) (Max) : 2.5V
    მიმდინარე - Gate Trigger (Igt) (მაქსიმალური) : 350mA
    ამჟამინდელი - 50 – დან 60 ჰერცირზე მეტი სიჩქარე (მისი სიჩქარე) : 55000A @ 50Hz
    მიმდინარე - გამართავს (Ih) (მაქსიმალური) : 350mA
    ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 125°C
    სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
    პაკეტი / საქმე : DO-200AE

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • MSTC160-16

      Microsemi Corporation

      POWER MOD THYRISTOR/DIODE T2.

    • MSTC110-16

      Microsemi Corporation

      POWER MOD THYRISTOR/DIODE T1.

    • MSFC160-16

      Microsemi Corporation

      POWER MOD THYRISTOR/DIODE F2.

    • MSFC110-16

      Microsemi Corporation

      POWER MOD THYRISTOR/DIODE F1.

    • MSDT150-16

      Microsemi Corporation

      POWER MOD BRIDGE THY 3PH M5.

    • MSDT100-16

      Microsemi Corporation

      PWR MOD THYRISTOR 1600V 100V SM4.