Diodes Incorporated - RS1DB-13-F

KEY Part #: K6455018

RS1DB-13-F ფასები (აშშ დოლარი) [963938ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.03856
  • 3,000 pcs$0.03837
  • 6,000 pcs$0.03624
  • 15,000 pcs$0.03304
  • 30,000 pcs$0.03091

Ნაწილი ნომერი:
RS1DB-13-F
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 200V 1A SMB. Rectifiers 1.0A 200V
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated RS1DB-13-F electronic components. RS1DB-13-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS1DB-13-F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS1DB-13-F პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RS1DB-13-F
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : DIODE GEN PURP 200V 1A SMB
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.3V @ 1A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 150ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-214AA, SMB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SMB
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CSD01060E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE

  • RURD660S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V

  • BAS116E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • VS-30WQ06FNHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • 50WQ10FNTR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V DPAK.

  • VS-30EPH03PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 30A TO247AC. Rectifiers 300 Volt 30 Amp