Ნაწილი ნომერი :
SIS698DN-T1-GE3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET N-CH 100V 6.9A 1212-8
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
6.9A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
195 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
8nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
210pF @ 50V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
19.8W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PowerPAK® 1212-8
პაკეტი / საქმე :
PowerPAK® 1212-8