Vishay Siliconix - SI7794DP-T1-GE3

KEY Part #: K6400780

[3278ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    SI7794DP-T1-GE3
    მწარმოებელი:
    Vishay Siliconix
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - RF, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Siliconix SI7794DP-T1-GE3 electronic components. SI7794DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7794DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI7794DP-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : SI7794DP-T1-GE3
    მწარმოებელი : Vishay Siliconix
    აღწერა : MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8
    სერიები : SkyFET®, TrenchFET® Gen III
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 28.6A (Ta), 60A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 mOhm @ 20A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 72nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2.52nF @ 15V
    FET თვისება : Schottky Diode (Body)
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 5W (Ta), 48W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® SO-8
    პაკეტი / საქმე : PowerPAK® SO-8

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • IRLR2905ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • 2SK3045

      Panasonic Electronic Components

      MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220D.

    • IPB04N03LA

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.

    • IPB04N03LAT

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.

    • SPB02N60S5ATMA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263.

    • IRLR024PBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 14A DPAK.