ON Semiconductor - ISL9K30120G3

KEY Part #: K6477702

[5334ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    ISL9K30120G3
    მწარმოებელი:
    ON Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and დიოდები - RF ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in ON Semiconductor ISL9K30120G3 electronic components. ISL9K30120G3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ISL9K30120G3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ISL9K30120G3 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : ISL9K30120G3
    მწარმოებელი : ON Semiconductor
    აღწერა : DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247
    სერიები : Stealth™
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდური კონფიგურაცია : 1 Pair Common Cathode
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1200V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (თითო დიოდზე) : 30A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 3.3V @ 30A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 100ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 100µA @ 1200V
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    პაკეტი / საქმე : TO-247-3
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-247

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ