მწარმოებელი :
Rohm Semiconductor
აღწერა :
MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6
ნაწილის სტატუსი :
Not For New Designs
FET ტიპი :
2 P-Channel (Dual)
FET თვისება :
Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
390 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
2.1nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
150pF @ 10V
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
6-SMD, Flat Leads
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TUMT6