Micro Commercial Co - 1N4005-N-2-4-AP

KEY Part #: K6441522

[3447ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    1N4005-N-2-4-AP
    მწარმოებელი:
    Micro Commercial Co
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO-41.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ზენერი - მასივები, დენის მართვის მოდული, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - JFET and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Micro Commercial Co 1N4005-N-2-4-AP electronic components. 1N4005-N-2-4-AP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4005-N-2-4-AP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    1N4005-N-2-4-AP პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : 1N4005-N-2-4-AP
    მწარმოებელი : Micro Commercial Co
    აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 1A DO-41
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A (DC)
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 1A
    სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 600V
    Capacitance @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    პაკეტი / საქმე : DO-204AL, DO-41, Axial
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-41
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • CDBDSC8650-G

      Comchip Technology

      DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V

    • CDBDSC10650-G

      Comchip Technology

      DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V

    • VS-8EWS10STRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

    • VS-8EWS10STRRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

    • MBRB750HE3_A/P

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 50V 7.5A TO263AB.

    • MB10H90HE3_A/P

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 90V 10A TO263AB.