Alliance Memory, Inc. - AS4C64M16MD2A-25BIN

KEY Part #: K937514

AS4C64M16MD2A-25BIN ფასები (აშშ დოლარი) [17157ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.67064

Ნაწილი ნომერი:
AS4C64M16MD2A-25BIN
მწარმოებელი:
Alliance Memory, Inc.
Დეტალური აღწერა:
134-BALL FBGA 10X11.5X1.0. DRAM 1G 1.2V/1.8V 32Mx32 Mobile DDR2 E-Temp
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: მონაცემთა შეძენა - ციფრული პოტენომეტრები, ლოგიკა - მრიცხველები, გამყოფი, PMIC - ძაბვის მითითება, PMIC - LED მძღოლები, საათი / დრო - ხაზების დაგვიანება, IC ჩიპები, ინტერფეისი - სიგნალის ტერმინატორები and PMIC - დენის Ethernet (PoE) კონტროლერები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C64M16MD2A-25BIN electronic components. AS4C64M16MD2A-25BIN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C64M16MD2A-25BIN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C64M16MD2A-25BIN პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : AS4C64M16MD2A-25BIN
მწარმოებელი : Alliance Memory, Inc.
აღწერა : 134-BALL FBGA 10X11.5X1.0
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - Mobile LPDDR2
მეხსიერების ზომა : 1Gb (64M x 16)
საათის სიხშირე : 400MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : -
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.14V ~ 1.95V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 134-VFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 134-FBGA (10x11.5)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S25FS512SDSNFV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M SPI 80MHZ. NOR Flash Nor

  • S29GL512T12DHVV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC NOR. NOR Flash Nor